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  • BabyDo - Einschulung
    Algen im Süßwasseraquarium Erster Urlaub mit Kristof Wasserwerte im Süßwasseraquarium Neueste Nachrichten Der Tod greift nicht daneben Donnerwetter Grimmbart Nacht über Reykjavik Home Kristof Lego R Modelle Bildergallerie Download Diplomarbeit Aquarium Literatur CSS Links Sitemap Einschulung Details Zuletzt aktualisiert 10 März 2015 Jetzt ist es schon soweit Kristof wird im September 2013 eingeschult Am 10 April 2013 war die Schuleinschreibung in der Jenaer Schule Alles OK sagte sie Lehrerin ein

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  • BabyDo - Lego Eisenbahn Waggon blau
    mit Kristof Wasserwerte im Süßwasseraquarium Neueste Nachrichten Der Tod greift nicht daneben Donnerwetter Grimmbart Nacht über Reykjavik Home Kristof Lego R Modelle Bildergallerie Download Diplomarbeit Aquarium Literatur CSS Links Sitemap Lego Eisenbahn Waggon blau Details Zuletzt aktualisiert 10 März 2015 Lego Eisenbahn Waggon blau Die Waggon ist selbst nach ein paar Anregungen entstanden Abmaße sind 6 x 32 Noppen Die Grundplatte ist 6x24 Noppen Die Grundplatte und die Türen musste

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  • BabyDo - Lego Eisenbahn Waggon grün
    mit Kristof Wasserwerte im Süßwasseraquarium Neueste Nachrichten Der Tod greift nicht daneben Donnerwetter Grimmbart Nacht über Reykjavik Home Kristof Lego R Modelle Bildergallerie Download Diplomarbeit Aquarium Literatur CSS Links Sitemap Lego Eisenbahn Waggon grün Details Zuletzt aktualisiert 10 März 2015 Lego Lego Eisenbahn Waggon grün Die Waggon ist selbst nach ein paar Anregungen entstanden Abmaße sind 6 x 36 Noppen Die Grundplatte ist 6 x 28 Noppen Ziel war es

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  • BabyDo - Thesen zur Diplomarbeit
    über Reykjavik Home Kristof Lego R Modelle Bildergallerie Download Diplomarbeit Aquarium Literatur CSS Links Sitemap Thesen zur Diplomarbeit Details Zuletzt aktualisiert 10 März 2015 Thesen zur Diplomarbeit vorgelegt von Michael Leidig Studiengang Elektrotechnik Studienrichtung Festkörperelektronik Themen Nr 141 93D 05 Thema der Diplomarbeit Untersuchung von Strategien zur Erzeugung von Gittern für die zweidimensionale Device Simulation 1 Heterojunction Bipolartransistoren HBT stellen heute eine mögliche Alternative dar um Hochgeschwindigkeitsbauelemente und schaltungen zu realisieren Die technologische Kompatibilität von Si SiGe HBTs mit der konventionellen Si VLSI Technologie macht dieses Bauelementekonzept besonders attraktiv 2 Es wird der Grundaufbau von HBTs vorgestellt und die Grundgedanken der Wirkungsweise von diesen Bauelementen werden erläutert und zusammengefaßt 3 Die dynamische Devicesimulation von HBTs ist aufgrund der Anwendungsmöglichkeiten von besonderem Interesse Als Ausgangspunkt der Betrachtungen diente der eindimensionale statische Devicesimulator HETRA welcher auf der Lösung der Drift Diffussions Gleichungen nach der Methode der finiten Differenzen beruht 4 Aus den Techniken der Kleinsignalanalyse wurde die Sinussoidal Steady State Analysis ausgewählt und in den Devicesimulator HETRA implementiert 5 Im Kleinsignalfall werden die Kontinuitätsgleichungen der Elektronen und Löcher auf geeignete Weise linearisiert Die Herleitung des Modellkonzepts wird ausführlich erläutert und vorgestellt 6 Die Basis und Kollektorrandbedingungen und Gleichungen zur Berechnung von Basisstrom

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  • BabyDo - Einleitung
    vor allem durch zwei Aspekte gekennzeichnet Die Entwicklung der Technologie insbesondere die Konzipierung von neuen Strukturierungs und Schichtherstellungsverfahren erlaubt die Herstellung von zunehmend komplizierteren Schichtsystemen Diese werden als Objekt der modernen Festkörperforschung und der Halbleiterphysik angewandt Ein wesentlicher Bestandteil der Entwicklung der Mikroelektronik ist die Schaffung von immer schnelleren und von der Funktionsweise her komplexeren Bauelementen Neben der fortschreitenden lateralen und vertikalen Miniaturisierung der Bauelemente werden neue Materialsysteme untersucht und verwendet die einen oder mehrere Heteroübergänge enthalten Bauelemente auf dieser Grundlage weisen in einigen Punkten andere Eigenschaften auf als Bauelemente mit homogenen Halbleiterübergängen Neben den gitterangepaßten Heterostrukturen wie z B Al x Ga 1 x As GaAs bei denen der Unterschied der Gitterkonstanten der einzelnen Schichten nicht sehr groß ist benutzt man in der letzten Zeit zunehmend verspannte Gittersysteme z B GaInAs GaAs oder auch Si SiGe als Ausgangsbasis für die Konzipierung von verschiedenen Bauelementen Vor allem durch den Fortschritt auf dem Gebiet der verschiedenen Schichtherstellungsverfahren z B Molekularstrahlepitaxie RT CVD und UHV CVD wurde diese Tatsache in den letzten Jahren deutlicher Im Wettbewerb verschiedener Bauelementekonzepte um die Verkürzung von Schaltzeiten Erhöhung von Verstärkungsfaktoren und Grenzfrequenzen haben sich die Heterojunction Bipolartransistoren HBTs als eine mögliche Alternative durchgesetzt Sowohl gitterangepasste HBTs Al x Ga 1 x As GaAs HBT als auch Si SiGe HBTs haben breite potentielle Möglichkeiten bei der Anwendung in der Mikrowellentechnik der Mikro und Optoelektronik In der hier vorliegenden Arbeit werden Si SiGe HBTs als Grundobjekt der theoretischen Untersuchung verwendet Bei der theoretischen Untersuchung liegt der Schwerpunkt auf der Modellierung des dynamischen Verhaltens dieser Bauelemente Diese Aufgabe ist im Hinblick auf die Anwendungsgebiete von Heterobipolartransistoren besonders aktuell In den Kapiteln 2 und 3 werden einige Grundaspekte der Wirkungsweise des Aufbaus und der Anwendungsgebiete von HBTs zusammengefaßt Diese vorliegende Arbeit baut auf einer Diplomarbeit 1 auf deren Thema die

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  • BabyDo - Prinzipielle Wirkungsweise
    beim Design der Bauelemente was bei der Anwendung von homogenen Struktursystemen nicht gegeben ist Dieses Prinzip wurde von Krömer 4 bereits im Jahre 1969 vorgestellt Verfolgt man die Logik von Krömer 5 weiter so kann man die Effizienz der bereits vorgestellten Betrachtungen auf folgende Art und Weise demonstrieren Ausgangspunkt für die nachfolgenden Überlegungen ist ein npn HBT mit einem Heteroübergang zwischen Emitter und Basis hierbei besteht das Emittermaterial aus einer wide gap Halbleiterschicht Der Übergang vom Emitter zur Basis erfolgt durch allmähliche Änderung der Zusammensetzung der Materialkomponenten grading technique 1 Iyer et al Heterojunction bipolar transistors using SiGe alloys IEEE Trans on Elektron Devices vol 36 no 10 Oct 1989 2 Kroemer Heterostructure bipolar transistors and integrated circuits Proc of the IEEE vol 70 1 Jan 1982 3 People Physics and application of GexSi1 x Si strained layer heterostructures IEEE Journal of Quantum Electronics vol 22 no 9 Sept 1986 4 Kroemer A proposed class of heterojunction injection layers Proc IEEE vol 51 pp 1782 1783 Dec 1969 5 Kroemer Theory of a wide gap emitter for transistors Proc IRE vol 45 no 11 pp 1535 1537 Nov 1957 Die wichtigsten Stromanteile eines npn HBTs sind a In Elektronenstrom der vom Emitter in die Basis injiziert wird b Ip Löcherstrom der von der Basis in den Emitter injiziert wird c Is Rekombinationsstrom in der Emitter Basis Raumladungszone d Ir Verluste des injizierten Elektronenstroms In durch Rekombination in der Basis Der Stromanteil In ist im Wesentlichen der Strom der als Hauptkomponenete in den Kollektorstrom eingeht Als parasitäre Beiträge können die anderen Stromanteile verstanden werden Man kann die Ströme in den Transistorgebieten wie folgt definieren Emitterstrom I E I n I p I s 2 1 1 Kollektorstrom I C I n I r 2 1 2 Basisstrom I B I p

    Original URL path: http://www.babydo.de/diplomarbeit/36-aufbau-und-wirkungsweise/36-prinzipielle-wirkungsweise.html (2016-05-02)
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  • BabyDo - Aufbau von Heterojunction Bipolartransistoren
    eines SiGe HBTs Wie auch aus der Abbildung 1 zu ersehen ist besteht die Basis aus einer hochdotierten SiGe Schicht während Emitter und Kollektor aus Si Schichten bestehen An einem vereinfachten Bändermodell eines np Si SiGe Übergangs läßt sich die Wirkung des Heteroübergangs verdeutlichen Abb 2 Bändermodell eines np Si SiGe Übergangs Wie aus der Abbildung 2 zu ersehen ist besitzt die SiGe Schicht einen geringeren Band abstand als die

    Original URL path: http://www.babydo.de/diplomarbeit/36-aufbau-und-wirkungsweise/37-aufbau-von-heterojunction-bipolartransistoren.html (2016-05-02)
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  • BabyDo - Iterationsalgorithmus
    0 f l i Ψ i 1 φ ni 1 φ pi 1 Ψ i φ ni φ pi Ψ i 1 φ ni 1 φ pi 1 5 3 1 l 1 für die Poissongleichung l 2 für die Kontinuitätsgleichung der Elektonen l 3 für die Kontinuitätsgleichung der Löcher Die Lösung des Gleichungssystems erfolgt nach dem Newton Raphson Verfahren An dieser Stelle erfolgt nur eine Darstellung der Grundzüge dieser Methode Das Verfahren ist in 19 ausführlich beschrieben Entwickelt man Gleichung 5 3 1 in eine Taylorreihe und bricht diese Entwicklung nach dem linearen Glied ab so erhält man A DC Jacobi Matrix der Index DC soll verdeutlichen das es sich um das Gleichungssystem für den statischen Fall handelt Mit Ψ Potential φ n Quasifermipotential der Elektronen φ p Quasifermipotential der Löcher Nachfolgend ist der Aufbau der Jacobi Matrix dargestellt Die Funktionalmatrix besteht aus einer Hauptdiagonalen h und zwei Nebendiagonalen p s Derartige Gleichungssysteme erlauben es den Rechenaufwand zum Bestimmen der Unbekannten erheblich zu verringern Die allgemeine i te Gleichung enthält nur die Unbekannten Δφ i 1 Δφ i und Δφ i 1 Selbst große tridiagonale Gleichungssysteme lassen sich mit dem Gaußschen Algorithmus in vertretbarer Zeit lösen Weitergehende Ausführungen zum Lösungsalgorithmus sind in der Literatur 1 zu finden Die Elemente der Hauptdiagonale sind die Ableitungen der drei diskretisierten Halbleitergrundgleichungen an dem jeweiligen Gitterpunkt nach dem jeweiligen Potential 1 H R Schwarz Numerische Mathematik Stuttgart Teubner Verl 1985 Die Elemente p 12 p 13 p 23 p 32 s 12 s 13 s 23 und s 32 sind gleich Null da in der Funktionalmatrix nur die Elemente besetzt sind die partielle Ableitungen nach dem zentralen oder den beiden Nachbarpunkten besitzen Man beginnt bei der Berechnung mit einem Startvektor dessen Elemente aus der Dotierung 1 oder aus der Lösung für einen anderen

    Original URL path: http://www.babydo.de/diplomarbeit/38-modellkonzept/43-iterationsalgorithmus.html (2016-05-02)
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