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  • BabyDo - Diplomarbeit
    Bilder Unter Bildergallerie Kristof gibt es neue Bilder von unserem Kleinen Meist gelesen Gardasee Camping Du Parc Algen im Süßwasseraquarium Erster Urlaub mit Kristof Wasserwerte im Süßwasseraquarium Neueste Nachrichten Der Tod greift nicht daneben Donnerwetter Grimmbart Nacht über Reykjavik Home Kristof Lego R Modelle Bildergallerie Download Diplomarbeit Aquarium Literatur CSS Links Sitemap Anzeige 5 10 15 20 25 30 50 100 Alle Titel Änderungsdatum Zugriffe Ergebnisse der Kleinsignalberechnungen 10 März

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  • BabyDo - Diplomarbeit
    NEW Kristof Bilder Unter Bildergallerie Kristof gibt es neue Bilder von unserem Kleinen Meist gelesen Gardasee Camping Du Parc Algen im Süßwasseraquarium Erster Urlaub mit Kristof Wasserwerte im Süßwasseraquarium Neueste Nachrichten Der Tod greift nicht daneben Donnerwetter Grimmbart Nacht über Reykjavik Home Kristof Lego R Modelle Bildergallerie Download Diplomarbeit Aquarium Literatur CSS Links Sitemap Anzeige 5 10 15 20 25 30 50 100 Alle Titel Änderungsdatum Zugriffe Zusammenfassung 10 März

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  • BabyDo - Diplomarbeit
    Banner 1 6 NEW Kristof Bilder Unter Bildergallerie Kristof gibt es neue Bilder von unserem Kleinen Meist gelesen Gardasee Camping Du Parc Algen im Süßwasseraquarium Erster Urlaub mit Kristof Wasserwerte im Süßwasseraquarium Neueste Nachrichten Der Tod greift nicht daneben Donnerwetter Grimmbart Nacht über Reykjavik Home Kristof Lego R Modelle Bildergallerie Download Diplomarbeit Aquarium Literatur CSS Links Sitemap Anzeige 5 10 15 20 25 30 50 100 Alle Titel Änderungsdatum Zugriffe

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  • BabyDo - Diplomarbeit
    einführen um Hochdotierungseffekte und insbesondere den Heteroübergang zu beschreiben Θn Θp Bandparameter Die Bandparameter Θn und Θp hängen nur vom Germaniumanteil ab Sie beschreiben die relative Änderung der energetischen Lage von Leit und Valenzbandkante und die Änderung der effektiven Zustandsdichten an den Bandkanten bezogen auf Silizium ohne Germaniumanteil Bei der Lösung des Gleichungssystems 5 1 1 5 1 3 muß man die Randbedingungen bei der Beschreibung des Basis Emitter und Kollektoranschlusses beachten Der Heteroübergang führt weiterhin zu einer ortsabhängigen Dielektrizitätskonstante ε Diese Tatsache wirkt sich auf die Poissongleichung aus wobei ε jetzt eine Funktion des Germaniumanteils x und damit des Ortes ist Eine ausführliche Erläuterung und eine mathematische Beschreibung der oben genannten Punkte die bei der Modellierung von SiGe Heterobipolartransistoren berücksichtigt werden müssen ist in 1 gegeben 1 M Roßberg Kurzbeschreibung des Bauelementesimulators HETRA1 Technische Hochschule Ilmenau 1991 Ortsdiskretisierung Details Zuletzt aktualisiert 10 März 2015 5 Das Modellkonzept 5 2 Ortsdiskretisierung Die Poissongleichung und die beiden Kontinuitätsgleichungen werden zur numerischen Berechnung in Differenzengleichungen für diskrete Punkte in dem interessierenden Gebiet des Halbleiters überführt Dazu wird das jeweilig betrachtete Gebiet des Halbleiters mit einem eindimensionalen im allgemeinen nicht äquidistanten Gitter überzogen Das Gitter ist an den Orten an denen starke Änderungen der Potentiale zu erwarten sind hinreichend klein zu gestalten um den numerischen Fehler so gering wie möglich zu halten Die einzelnen Gitterpunkte und die Abstände zwischen den Gitterpunkten werden wie folgt numeriert h i Abstand zwischen den Gitterpunkten i Nummer des Gitterpunktes Zur Diskretisierung der Poissongleichung ist ein parabolischer Ansatz für den Potentialverlauf durch drei benachbarte Punkte geeignet Für die Diskretisierung der Kontinuitätsgleichungen ist ein parabolischer Lösungsansatz für die Quasifermipotentiale nicht geeignet da hieraus ein exponentieller Verlauf der Stromdichte über dem Ort folgen würde Das ist jedoch aus dem physikalischen Verständnis des Transistors wonach die Stromdichte nur eine sehr schwache Ortsabhänigkeit aufweist nicht vorteilhaft Da hieraus ein großer Diskretisierungsfehler resultieren würde ist ein anderer Weg zur Diskretisierung der beiden Kontinuitätsgleichungen sinnvoll Dieser Weg zur Diskretisierung der Kontinuitätsgleichungen ist ausführlich in 1 beschrieben worden Die drei Grundgleichungen in ortsdiskretisierter Form für den statischen Fall sehen wie nachfolgend dargestellt aus 1 Poissongleichung 2 Kontinuitätsgleichung der Elektronen 3 Kontinuitätsgleichung der Löcher 1 Scharfetter and Gummel Large signal analysis of a silicon pead diode ocillator IEEE Trans on Elektron Dev vol ED 16 1969 S 64 77 wobei mit Die Eigenleitungsdichten n ip i 1 2 n ip i 1 2 und die Beweglichkeiten μ n i 1 2 μ p i 1 2 μ p i 1 2 werden analog ermittelt Der Index i 1 2 bedeutet daß die Stromdichten in dem Bereich zwischen den Gitterpunkten i 1 und i definiert ist Dies gilt analog für den Index i 1 2 Iterationsalgorithmus Details Zuletzt aktualisiert 10 März 2015 5 3 Der Iterationsalgorithmus Diese 3 k 2 diskretisierten Grundgleichungen 5 2 1 5 2 3 wobei k die Anzahl der Gitterpunkte ist werden mittels eines Iterationsalgorithmus gelöst und dazu in die folgende Form gebracht 0 f l i Ψ i 1 φ ni 1

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  • BabyDo - Diplomarbeit
    Bibliothek mit speziellen Rechenoperationen für komplexe Zahlen anzulegen Als Wichtigstes beinhaltet diese Bibliothek eine Typdefinition für den Datentyp COMPLX Dieser ist zusammengesetzt aus einem Realteil REAL und einem Imaginärteil IMAG die beide als DOUBLE definiert sind und zusammen eine komplexe Zahl darstellen Auf diese Weise erhält man eine wesentlich höhere Genauigkeit des Zahlenformats bis zu 15 Mantissenstellen möglich Weiterhin beinhaltet sind in der Bibliothek Rechenoperationen für komplexe Zahlen Das sind neben den vier Grundrechenarten die Exponentialfunktion sowie die Betragsbildung und Umwandlung in die Eulersche Form einer komplexen Zahl Diese Komplexbibliothek wurde in den Bauelementesimulator HETRA aufgenommen Aufgrund der höheren Genauigkeit in der Zahlendarstellung ist es nun möglich geworden die Mängel aus 2 zu beseitigen Der Lösungsalgorithmus wurde komplett in den bestehenden Devicesimulator HETRA integriert Für den Fall der Kleinsignalanalyse erfolgt zuerst die Einstellung eines stationären Arbeitspunktes Im Anschluß daran beginnt die Aufstellung des Gleichungssystems für die dynamische Analyse Der Gaußalgorithmus der hier zum Lösen verwendet wird wird einmal durchlaufen Am Ende dieser Berechnungen erhält man den Kleinsignallösungsvektor Φ AC Dann erfolgt die Berechnung des Basisstromes und des Kollektorstromes entsprechend dem im folgenden Kapitel beschriebenen Weg Daran anschließend werden die Kleinsignalparameter z B Leitwertparameter für den eingestellten Arbeitspunkt berechnet und ausgegeben Für die graphische Darstellung wurde das Programm SPICE benutzt Um die aus dem Simulator kommenden Daten dort weiter verarbeiten zu können ist die Erstellung einer Konvertierungsroutine nötig gewesen Die implementierten Routinen sind beliebig erweiterungsfähig ebenso alle erstellten Macros und Zusatzprogramme Die aus den Berechnungen hervorgegangenen Werte sind in Kapitel 6 1 erläutert und graphisch dargestellt 1 Tschagaljan Implementierung von Kleinsignalmodellen in einen Bauelementesimulator Diplomarbeit Technische Hochschule Ilmenau 1992 2 Tschagaljan Implementierung von Kleinsignalmodellen in einen Bauelementesimulator Diplomarbeit Technische Hochschule Ilmenau 1992 Ergebnisse der Kleinsignalberechnungen Details Zuletzt aktualisiert 10 März 2015 6 1 Ergebnisse der Kleinsignalberechnungen Die durchgeführten Berechnungen dienten als erstes zur Überprüfung des vorgestellten Modellkonzepts zur Kleinsignalanalyse Darauffolgend wurde ein Vergleich mit an Proben gemessenen Werten vorgenommen Diese wurden von der Ruhr Universität Bochum vorgenommen und lagen als Datenfile auf einer Diskette vor Gemessen wurden die Werte an der Probe B 2136 Die Abbildungen 5 bis 7 zeigen in einer Gegenüberstellung von gemessenen und simulierten Werten die Ortskurven der Kleinsignalparameter y11 y21 y12 und y22 Die Ortskurvendarstellung ist vorteilhaft um sich einen schnellen Überblick über die Frequenzabhängigkeit der Vierpolparameter verschaffen zu können Da die Messungen in Kollektorschaltung vorgenommen werden müssen wurden die simulierten Werte in die entsprechende Schaltungsart umgerechnet In einer vorher durchgeführten statischen Berechnung wurde ein statischer Arbeitspunkt eingestellt bei dem f T maximal wird Als Basis Kollektorspannung U BC wurde 1V eingestellt Der dargestellte Frequenzbereich von Messung und Simulation erstreckt sich von 130 MHz bis 19 99 Ghz Der Parameter y11 Abb 6 spiegelt das Verhältnis von Basisstrom zur Änderung der Basis Emitterspannung wieder Betragsmäßig beschreibt dieser Parameter mit anwachsender Frequenz einen steigenden Verlauf Der Schnittpunkt der Ortskurve mit der reellen Koordinatenachse gibt die Größe des am Eingang liegenden Basisbahnwiderstandes wieder Die Kurzschlußsteilheit y21 Abb 7 wird mit zunehmender Frequenz vom Betrag her kleiner Vor allem die

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  • BabyDo - Diplomarbeit
    Ilmenau 1992 2 Laux Techniques for small signal analysis of semiconductor devices IEEE Trans on Elektron Devices vol ED 32 no 10 Oct 1985 Erklärung Details Zuletzt aktualisiert 10 März 2015 Erklärung Hiermit erkläre ich daß ich die vorliegende Arbeit selbständig und nur unter Verwendung der angegebenen Literatur und Hilfsmittel angefertigt habe Danksagung Ich bedanke mich vor allem bei Frau Prof Dr Ing habil D Schipanski und meinem Betreuer Herrn Dipl Ing M Roßberg für die praktische und theoretische Unterstützung beim Zustandekommen dieser Arbeit Weiterer Dank gilt allen Mitarbeitern des Fachgebietes Festkörperelektronik die es mir ermöglichten die Bearbeitung des Themas in einer guten Arbeitsplatzatmosphäre durchzuführen Michael Leidig Vorteile und Anwendungsgebiete Details Zuletzt aktualisiert 10 März 2015 3 Vorteile und Anwendungsgebiete von SiGe HBTs Für besonders schnelle Bauelemente scheinen Halbleitermaterialien wie GaAs und andere III V Halbleiter besonders prädestiniert zu sein Aber aus verschiedenen Gründen z B Kosten Reproduzierbarkeit und Schaltungskomplexität wird das Grundmaterial Si bevorzugt Die Anwendung des HBT Konzepts ist vergleichsweise neu im Vergleich zur Realisierung von Transistorstrukturen mit III V Halbleitersystemen Eine entscheidende Triebkraft in dieser Hinsicht war die Entwicklung von Herstellungstechniken die mit der Siliziumtechnologie kompatibel sind Über die technologischen Hintergründe des Herstellungsprozesses von SiGe HBTs kann man der Literatur 1 ausführliche Informationen entnehmen Die HBTs auf Si SiGe Basis weisen eine Reihe von Vorteilen auf die ihre Anwendung in Hochgeschwindigkeitsschaltkreisen ermöglichen Einige Vorteile von SiGe HBTs im Hinblick auf konventionelle Bipolartransistoren ist die Einsatzmöglichkeit als sehr schnelle Verstärkerbauelemente in Informations und Verarbeitungs systemen bei hohen Frequenzen Es wurden bereits Stromverstärkungen von 5000 und Transitfrequenzen bis 75 GHz bei Raumtemperatur gemessen 2 Doch dies sind nur einzelne Parameter für integrierte Schaltungen treten insbesondere parasitäre Kapazitäten Induktivitäten und Widerstände auf die es zu berücksichtigen gilt Bei einem HBT lassen sich im Vergleich zu einem Homobipolartransistor sehr hohe Basisdotierungen

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  • BabyDo - Aquarium - Einrichtung - Betrieb - Fische - Pflanzen
    hineinlaufen kann ohne den Bodengrund zu durchwirbeln Wenn das Aquarium zu 2 3 befüllt ist können Pflanzen eingesetzt werden Erst dann ist es voll mit Wasser aufzufüllen Die Geräte Heizung Beleuchtung und Filter werden dann eingeschaltet und auf ihre Funktion überprüft Vor dem Einsetzen der Fische sollte man noch 2 3 Wochen verstreichen lassen damit sich die notwendigen Bakterien bilden können die Pflanzen anwachsen und evtl Probleme lokalisiert werden können Auch sind die Wasserwerte zu prüfen und darauf im speziellen Fall zu reagieren Fischbesatz Sumatrabarben Die Anzahl der Fische in einem Aquarium hängt von der Wasseroberfläche des Becken ab Tropische Fische im Süßwasser 80 qcm pro 2 5 cm Körperlänge ein Becken von 80 cm Länge und 30 cm Tiefe 16 Tiere mit 5 cm Länge ein Becken von 1 m Länge und 40 cm Tiefe 52 Tiere mit 2 5 cm Länge Kaltwasserfische Süßwasser 190 qcm pro 2 5 cm Körperlänge Tropische Fische Seewasser 300 qcm pro 2 5 cm Körperlänge Daneben sind noch andere Faktoren zu berücksichtigen wie das Schwimmverhalten oder auch ihre Verträglichkeit untereinander Fische sollten schonend in die neue Umgebung eingesetzt werden Sie können zur Temperaturanpassung noch einige Zeit im Beutel bleiben nachdem sie ins Aquarium eingesetzt werden Es ist auch möglich zuvor die Wassersorten zusammenzuführen und die Fische erst dann in den neuen Lebensraum zu entlassen Neue Tiere sind unbedingt zu beobachten ob sie regelmäßig Nahrung aufnehmen lebhaft sind und keine Auffälligkeiten am Äußeren zeigen Evtl ist es nötig zu erfahren in welcher Umgebung die Tiere bisher gehalten wurden und an welches Futter sie sich gewöhnt haben Bei Seewasserfischen ist auch die Wasserzusammensetzung interessant um zu entscheiden ob es hier evtl zu Problemen kommen kann Nahrung Meist ist bei Fischen die Nahrungsaufnahme unkompliziert zumal es auch ein großes Sortiment an Futter gibt Hierbei handelt es

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  • BabyDo - Auswahl der Fische
    Kristof Lego R Modelle Bildergallerie Download Diplomarbeit Aquarium Literatur CSS Links Sitemap Auswahl der Fische Details Zuletzt aktualisiert 10 März 2015 In einem Aquarium werden zumeisst unterschiedliche Arten von Fischen gehalten Dabei ist die natürliche Umgebung der Tiere zu berücksichtigen Welche Fische passen zusammen wie muss das Wasser beschaffen sein Hier einige Empfehlungen nach welchen Richtlinien eine Süßwasseraquarium aufgebaut werden sollte Das Artquarium Für eine Fischart bitte zuvor prüfen ob

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